GaAs是重要的化合物半导体材料。
产业链上游为衬底制造，随后是GaAs外延（使用MOCVD、MBE等外延技术）。中游为晶圆加工和封测。下游为手机、基站等应用。住友电工、Freiberger、AXT三家公司占据约95％的GaAs晶圆市场份额。
IQE、全新光电、SCIOCS、英特磊等是主要的外延片制造商。IQE市场份额超过50％。
Skyworks、Qorvo和Broadcom是全球领先的GaAsIDM厂商。设计和先进技术（除晶圆制造）主要为IDM大厂掌握。稳懋是全球GaAs晶圆代工龙头。
三安光电也已进入化合物半导体代工领域，此外还有海特高新。
Yole数据显示2017年GaAs衬底用量175万片（以6英寸计），预计2023年将达到约415万片。
2018年GaAs射频产品占GaAs晶圆片市场的比例超过50％。但是手机市场饱和以及芯片尺寸缩小，该市场增速放缓。预计在Sub－6GHz波段，智能手机中GaAsPA依旧处于主流地位。
未来射频领域对GaAs晶圆片的需求仅小幅增长。主要的增长动力来自LED、光子学领域的应用。
苹果iPhone搭载的FaceID摄像头中使用了GaAs激光器，这将极大的推动GaAs在光子学领域的应用。Yole预计2023年GaAs晶圆片光子学应用方面的市场将达到1．5亿美元，2017～2023年GaAs晶圆片用量CAGR＝39％。
GaAsLED将快速增长。Yole预计2017～2023年GaAsLED市场晶圆片用量CAGR＝21％，2023年占全部GaAs晶圆片用量的比例超过50％。
StrategyAnalytics数据显示2017年全球GaAs元件市场总产值（含IDM厂组件产值）约88．3亿美元，达到历史新高，同比增长7．8％。前三位厂商占比分别为Skyworks（32．5％）、Qorvo（25．1％）、博通（9％）。
2017年砷化镓晶圆代工市场规模7．3亿美元。台湾稳懋一家独大，占比72．7％。随后是GCS（8．4％）、AWSC（7．9％）。
在半导体制造业中，IDM厂商和晶圆代工厂核心竞争力不同，同时产能投资策略也有差异。
IDM厂商的核心竞争力为产品设计和制造能力，持续开发更高性能的产品。
晶圆代工厂则依靠多样化以及先进制程技术，以利基型产品和低成本大规模制造并行的方式获取更大的经营效益。随着晶圆代工产业的成熟，IDM厂商为确保产能充分利用，投资扩产变的保守。
晶圆代工厂则通过获得设计公司、IDM厂商等的订单，维持一定水准的产能利用率。此外，以往少数兼营代工的IDM厂商，为了保有已付出大量资源所得到的最新研发成果，并不为客户兼竞争者提供最新制程的代工服务，因而客户逐渐流失，甚至最终放弃代工业务。晶圆代工厂则以最新制程为客户服务而获得竞争优势。
目前晶圆代工厂与IDM厂商在先进制程上已经并驾齐驱，打破了过去晶圆代工厂只能接收IDM厂商旧技术的规律。在GaAs晶圆制造市场中，IDM厂商仍旧占有超过50％的生产规模。
近几年由于专业代工更具成本优势，加上IDM厂商对于产能扩充投资趋于保守，持续释放出更大比率订单给晶圆制造代工厂，同时整体市场需求持续增长，这都为晶圆代工厂的发展提供了良好的机会。
▌5GPCB量价齐升
赛迪顾问数据显示2026年5G宏基站的数量达到475万个，是2017年底4G基站数量328万个的约1．4倍。此外5G小基站的数量保守估计是宏基站数量的2倍。基站数量的增长将带动对PCB需求的提升。
5G宏基站由CU、DU、AUU组成。AUU是有源天线单元，可简单等效为天线和RUU（4G）的集成。为减小传输损耗，用PCB集成天线和馈线，带来单基站PCB用量的提升。
5G使用MasiveMIMO技术，天线单元通过高频高速PCB集成，这也为单基站带来了新的增量。
目前常用的PCB板材为FR－4，不适合在高频高速条件下使用。
5G高频高速传输数据，应用于微波与毫米波频段的PCB板材主要采用低介电常数、低介电损耗的材料（PTFE、碳氢化合物、PPE树脂）制作。
高速电路板材主要采用特殊树脂、环氧改性特殊树脂。采用高频高速板材将使PCB价值量提升。
高频基材行业壁垒高，龙头企业优势明显，美日企业占据大部分市场。罗杰斯在PTFE－CCL的市场份额超过50％。国内主要有生益科技。
A股受益企业主要有沪电股份、深南电路、生益科技等。
